Økning av shunt motstand i doble solceller

Offentlig prosjektsammendrag

Teknologien med doble solceller tillater å kombinere det tradisjonelle Silisium materialet med III-V halvledere. Silisium har i dag kommet nær den maksimale effektiviteten som er mulig (ca. 27%), mens solceller i III-V materialer allerede er demonstrert med opp mot 46% effektivitet. Vi ønsker å kombinere den lave kostnaden på Silisium med den høye effektiviteten på III-V for å gjøre morgendagens solceller bedre og rimeligere. Silisiumet utgjør mesteparten av materialet med en solcelle tykkelse på rundt 150um. Fordelen ved å legge III-V oppå er at det er tynt (1um) og at det har et variabelt direkte bånd gap. Det tynne laget gjør kostnaden på III-V materialene og deponeringen av dem er liten i forhold til resten av solcellepanelet (ca 8%), noe som er meget viktig da kostnadene til paneler, installasjon og infrastruktur i stor grad er den samme uavhengig av effektivitet. Kalkyler viser at teknologien kan redusere kostnaden på strøm fra solceller med 20-30% i forhold til silisium celler alene. I sammenligning med andre solcelleteknologier er vår teknologi mer moden ved at III-V halvledermaterialer har vært brukt i 60 år. De benyttes i dag i alt fra datamaskin prosessorer i romstasjoner til lasere i telekommunikasjonsnettet og forsterkere i mobiltelefoner. Til sist, men ikke minst utgjør den nye teknologien et kvantesprang da den også tillater tre eller fire-lags solceller på silisium. Dette er viktig for å oppnå enda høyere effektivitet i fremtiden, og kanskje man til slutt kan nå de teoretiske nivåene på multi-lags solceller på rundt 65%.